Кинеските научници открија атомска технологија без силикон за производство на транзистори, која ветува поефикасни и неспоредливо побрзи чипови, отворајќи нова фаза во глобалната трка на полупроводници. Истражувачите од Кина развија дводимензионален (2D) транзистор кој би можел суштински да ја промени иднината на микропроцесорите. Оваа технологија, која резултира со транзистори потенки од еден атом и до 100 пати побрзи од денешните силиконски транзистори, има потенцијал да произведе чипови кои се многу помоќни додека трошат помалку енергија.
Студијата беше предводена од професорот Хајлин Пенг од Универзитетот Пекинг, а беше објавена во престижното списание Nature. Наместо да ја подобри постоечката силиконска архитектура, кинескиот тим се одлучил за радикално нов пристап кон дизајнот на материјалите и транзисторите, со цел да ги надмине лидерите во областа како што се Intel и TSMC.
Во срцето на иновацијата е архитектурата GAAFET (gate-all-around FET), каде што контролната електрода целосно се обвиткува околу каналот, за разлика од дизајнот FinFET. Овој тип на контрола од 360 степени овозможува поголема стабилност, помало истекување на струја и многу поголема брзина на палење на транзисторот, што е клучно за минијатурни и брзи електронски уреди. Чиповите засновани на овој дизајн би можеле да донесат до 40% зголемување на перформансите и 10% намалување на потрошувачката на енергија во споредба со денешните најдобри силиконски решенија.
Уште поголема иновација е употребениот материјал. Наместо силициум, се користи бизмут оксиселенид, дводимензионален полупроводник со исклучителна механичка флексибилност и електрични својства. Овој материјал овозможува екстремно брзо движење на електроните и има висока диелектрична константа, што придонесува за ефикасно управување со полнењето и дополнително ги подобрува перформансите на транзисторот.
Иновацијата доаѓа во време кога Кина се соочува со зголемени технолошки ограничувања од Западот, особено во однос на пристапот до напредни чипови и алатките за нивно производство. Решението засновано на нови материјали и сопствени методи би можело да и овозможи на Кина да ги заобиколи постоечките технолошки бариери и да стане независна во производството на чипови од следната генерација.
(IDR)
(фото: Pixabay)
