Micron официјално започна со испорака на најновата генерација мобилна DRAM меморија, LPDDR5X, базирана на процесот 1γ (1-гама) и ја најави како вистинска револуција за пазарот на мобилни уреди. Новата генерација на Micron меморија за мобилни уреди носи голем број клучни подобрувања: брзината на пренос на податоци се зголеми на дури 10,7 Gbps по поединечен пин (10.700 MT/s), што е скок од 33% во споредба со претходните чипови 1β (1-бета), кои нудеа 7,5 Gbps. Од Micron нагласуваат дека нивната нова меморија е за 14% пократка од претходната генерација, што овозможува уште потенки дизајни на мобилни уреди, но и до 20% помала потрошувачка на енергија.
Покрај перформансите и големината, значителен напредок е постигнат благодарение на преминот кон напредна EUV литографија, која досега беше стандард главно резервиран за процесори. Новите RAM-модули носат не само подобри перформанси, туку и продолжено траење на батеријата, што ги прави идеални за идните паметни телефони и уреди за носење.
Micron вели дека новата меморија е специјално оптимизирана за работа со вештачка интелигенција. Во примерот на моделот Llama 2 LLM на паметен телефон, новата RAM меморија донесе 30% побрз одговор на прашања, 50% побрза обработка на преводот и 25% подобри перформанси во препорачаните системи.
Тековните испораки вклучуваат чипови од 16 GB, додека верзии од 8 GB и 32 GB се планирани за подоцнежна фаза. Micron конкретно нагласува дека главните паметни телефони од 2026 година се примарна цел на оваа меморија, иако подоцна може да се очекува и нејзина примена во лаптопи, таблети и мини-компјутери.
(Hot Hardware)
(фото: Pexels)
